解释，因为铜的电阻率约为1.7纳欧·米，铝的电阻率约为2.8纳欧·米，铜的导电率大大高于铝，所以超大规模集成电路里采用铜互连，能够减小互连层的厚度，降低互连层间的分布电容，从而让微处理器进一步提高运行频率成为可能。
    与此同时，随着集成电路的密度进一步增加，电子迁移现象变得无法忽视，而在这方面，铜也比铝有很强的优越性。盖因，铜的熔点约为1084摄氏度，铝的熔点约为660摄氏度，铜相对更不容易发生电子迁移现象。
    引用更为具体的数据就是，铜的导电能力大约比铝高40%，从而使得微处理器的运行频率提高大约15%；与此同时，铜比铝更加耐用，也让集成电路不但可以做得更小，还能让可靠性提高大约100倍。
    当然了，万物不可能十全十美——相比于传统的铝互连，铜互连虽然具有低电阻率、较好的抗电子迁移能力等等优点，但也同时伴随着新的问题。
    比如，沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失之类。
    正是诸如此类的多种技术难关，业内大多数人认为——虽然芯片中的传统铝互连，局限非常明显，但铜互连要想取而代之，却是不可能的。
    别人担心高额投入之下，无法取得回报，
 <本章未完请点击"下一页"继续观看!>