，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。
    用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。
    不过虽然砷化镓是半导体材料中兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，并不适宜制作大功率器件。
    因此对于雷达的t/r组件而言，砷化镓器件功率小的缺陷性就显现出来了。
    这个时候，新一代半导体材料氮化镓开始进入各国科学家的视线。
    氮化镓一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
    目前，gan材料的研究与应用是全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与sic、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代ge、si半导体材料、第二代gaas、inp化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
    它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能
 <本章未完请点击"下一页"继续观看!>