“都说说吧，有什么思路没有？”
    下面实验室里的研究员们面面相觑，跟着一起犯起了难。
    “继续采用化学蚀刻法怎么样？如同通过多次曝光的技术……”
    “不行的，化学蚀刻法的各向异性太差了。即使是重复曝光蚀刻，也会导致两侧侵蚀，精度必然达不到100纳米的要求。”
    纳米光栅的制作技术，其实和制作芯片差不多，一样是通过在硅片上涂抹光刻胶，然后反复曝光、蚀刻，最后形成符合精度要求的光栅。不过目前业界通常采用的化学蚀刻方法，却在微纳米级条件下并不适用了。
    化学蚀刻法用通俗的话来说，就是在晶圆上涂布光刻胶，然后通过曝光去除光刻胶，再用腐蚀性材料对暴露出来的硅片进行腐蚀，最后形成集成电路需要的结构。
    但这也有一个问题，湿法化学蚀刻用的蚀刻液在蚀刻中，各向异性的不佳会导致在光刻胶覆盖下的晶圆同样也有一部分被侵蚀了。反过来说，就是湿法化学蚀刻的各向同性性能很好，不仅能向下侵蚀，同样也能向左右侵蚀。
    这样一来，对精度要求高的情况下，这种技术显然就天然不适用了。
    第一个提议被毙了，这无疑让其他人谨慎了许多。原本还想开口的
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