高，必须使用CMOS工艺才能达到要求，当英特尔把全部的身价投入进去开发CMOS的闪存工艺技术的时候，就已经说明他们基本上放弃了>

    虽然未来的工艺，但这两者是完全不同的CMOS技术，CPU主要用的是N阱CMOS工艺，属于NMOS，而闪存更多属于P阱CMOS反相器工艺，两者是完全的不同。

    当然，你可以用P阱CMOS反相器工艺生产CPU，用N阱CMOS工艺来生产闪存，可这么做在经济上非常不划算，用P阱CMOS反相器工艺生产的CPU，良品率非常的低，最高不过60%，用N阱CMOS工艺来生产的闪存也一样，良品率都不怎么样，这会导致芯片成本过高，成本不划算。

    但反过来就完全不一样了，只有工艺成熟，产业工人的熟练度够高，良品率想要维持在95%以上压力不大。

    至于NP同阱CMOS工艺，又是另外一种工艺技术了，数码相机上的CMOS感光传感器，就需要用到NP同阱CMOS工艺技术。

    另外，英特尔在2012年推出的，全称叫做3D三栅极CPU，其实就是NP同阱CMOS工艺升级版，简单来说，就是在NP同阱的硅晶片的中间硅，把这个硅给拔高成第三极
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